iPad3处理器A5X芯片封装技术已改变

      全新iPad3被iFixit拆解之后，里面的秘密迅速被曝光出来。新款iPad3的内部零件与我们期望中的差不多，采用的是高通的MDM9600 LTE基带。苹果的A5X芯片摈弃了POP层叠封装技术，如今使用两个分立的DRAM（动态随机存储器）。从拆解我们也可到了，那是两块512MB的Elpida LP-DDR2，如图的黄色部分。A5芯片则是采用双通道（2x32位）LP-DDR2，数据传输速率高达800MHz。

与大多数DRAM制造商一样，Elpida更新其部件号解码器的效率很低，所以我们无法查找到这两块DRAM，部件号码为B4064B2MA-8D-F。我们只知道，字母“B”是说移动/低功耗DDR2内存，数字“40”代表DRAM的密度，4可能是4Gbit，但0在这里就有点奇怪了，因为它通常是指DRAM的页面大小。“64”也有些奇怪，通常这是指DRAM接口的宽度，64暗指的内容可能不正确，也有可能理解错误。

苹果如今在A5X芯片上使用一块金属散热片，你或许已经猜到，苹果的封装技术也有所改变了，从原先的引线接合封装，转换到现在的倒装芯片（裸芯片封装技术之一）。采用倒装芯片封装技术可以更好地散热，还可以激活更多的I/O引脚。随着芯片复杂程度的增加，从模具穿引铜线来封装很快成为瓶颈技术。

不过，也有可能苹果在A5芯片就已经采用了倒装芯片封装技术，只不过隐藏在PoP层叠封装的外衣下。这样的例子有，英特尔的Medfield使用了FC-BGA封装，但外层还是用PoP封装的掩盖。



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